| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | CN201610210217.4 |
| 公开（公告）号 | CN105671629A | 公开（公告）日 | 2016-06-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法，晶体的化学式表示为(LnxRe1-x)2O3，其中0< x< 0.5，Ln＝Yb、Nd、Dy、Ho、Er、Tm、Pr，Re＝Y、Sc、Lu、Gd。晶体生长包括装炉、熔料、生长和冷却四个步骤，利用导模中狭缝对熔体的虹吸作用，生长出所需形状和尺寸的稀土倍半氧化物激光晶体。本发明能有效抑制高温熔体表面漂浮物对晶体光学质量的影响，在较短周期内制备出数厘米的晶体，工艺操作简单，并可减少晶体加工过程中晶料的损耗，成本低廉。 | ||
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