| 申请日期 | 2025-07-18 | 申请号 | CN201410161164.2 |
| 公开（公告）号 | CN103943167B | 公开（公告）日 | 2016-06-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西安交通大学 | ||
| 简介 | 一种Ag(V, Nb)/稀土晶体硅太阳电池合金浆料及其制备方法，按质量份数计包括，玻璃粘结剂0.1-0.4份，超细银粉7.5-8份，超细VO2粉末和超细Nb2O3粉末的混合物0.2-0.5份，稀土粉末0.1份、有机粘合剂1-1.4份和0.3-0.4份稀释剂。本发明采用含有低接触势垒金属V、Nb的纳米Ag合金制备晶体硅太阳电池发射极的电极，通过加入微量稀土，提高该层的导电性能和粘结性能，在银浆中掺入的稀土元素与Ag形成较低温度的共融体，制备成太阳电池并进行测试，结果表明减小了丝网印刷银浆与硅基底的接触电阻，增强了电极附着力，并减小了金属银的消耗，提高了晶体硅太阳电池效率，降低了电池成本。 | ||
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