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包括经掺杂多晶陶瓷光学设备的量子记忆体系统及量子中继器系统及其制造方法 发明授权

2023-10-06 4320 5101K 0

专利信息

申请日期 2025-07-22 申请号 TW106115776
公开(公告)号 TWI751162B 公开(公告)日 2022-01-01
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 美商康宁公司
简介 一种制造一经掺杂多晶陶瓷光学设备的方法包括以下步骤:混合复数个过渡金属复合物及复数个稀土金属复合物以形成一金属盐溶液;加热该金属盐溶液以形成一经加热金属盐溶液;混合该经加热金属盐溶液及一有机母材以诱发该经加热金属盐溶液及该有机母材之间的一化学反应以产生复数个掺杂稀土的奈米微粒;及烧结该复数个掺杂稀土的奈米微粒以形成一经掺杂多晶陶瓷光学设备该经掺杂多晶陶瓷光学设备具有均匀分布在该经掺杂多晶陶瓷光学设备之一晶格内的一稀土元素掺杂物。


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