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R-T-B系永久磁铁 发明授权

2023-04-20 2950 802K 0

专利信息

申请日期 2025-09-11 申请号 CN201410166833.5
公开(公告)号 CN104124018B 公开(公告)日 2016-05-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 TDK株式会社
简介 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较,不会显著降低磁特性,并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。在R-T-B系的构造中,通过交替地层叠R1-T-B和(Y、La)-T-B,从而形成R1-T-B系结晶层和(Y、La)-T-B系结晶层的层叠构造,一边可以维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场一边可以得到(Y、La)-T-B系结晶层的温度系数的改善效果。通过将(Y、La)-T-B系结晶层的稀土类元素设为Y和La这2个元素,从而缓和层叠构造整体的晶格畸变,并得到高的剩余磁通密度。


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