| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | CN201610062136.4 |
| 公开（公告）号 | CN105601283A | 公开（公告）日 | 2016-05-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 广东工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种导电网络结构Si3N4陶瓷的制备方法，包括下列步骤：1)以Si粉为原料，以Al2O3-Re2O3为烧结助剂，经混料、球磨、干燥后，得到Si-Al2O3-Re2O3混合粉体；其中Re为稀土元素；2)将步骤1)得到的Si-Al2O3-Re2O3混合粉体定型，在氮气氛下进行预烧，将预烧后的坯体在MO2溶胶中浸泡0.5～24h，烘干后，在氮气氛下进行二次烧结，制备得到具有导电网络结构Si3N4陶瓷。本发明所得到的Si3N4陶瓷相对密度大于95%，电导率达到1000～3000S m-1，硬度为8～20GPa，断裂韧性为6～12MPa m1/2，抗弯强度为800～1200MPa。本发明的Si3N4陶瓷可以应用于电火花加工成任意形状的工件，尤其是陶瓷涡轮叶片这种形状复杂的工件，这是目前市面上普通Si3N4陶瓷所不具备。 | ||
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