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一种铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法 发明申请

2023-04-10 4770 449K 0

专利信息

申请日期 2026-04-24 申请号 CN202111148753.3
公开(公告)号 CN113862774A 公开(公告)日 2021-12-31
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 福州大学
简介 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Li(5+2x)Pr3Nb(2‑x)ScxO12,其中x=0.5~1.0。该晶体属立方晶系,空间群为。本发明制得的磁光晶体具有立方高对称性,可有效消除双折射效应对磁光应用的限制。同时,该晶体还具有磁性稀土离子含量高,电子交换作用大,晶体场作用强,磁性稀土离子在晶体中的电子有效跃迁波长较大等结构特点,有利于产生较强的磁光效应。此外,本发明磁光晶体为一致熔融化合物,生长温度为1300~1550℃,可采用中频感应提拉法生长,其生长工艺简单、周期短,晶体完整性高,能够实现大规模低成本的批量生产。


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