| 申请日期 | 2025-07-01 | 申请号 | CN201510959527.1 |
| 公开（公告）号 | CN105576086A | 公开（公告）日 | 2016-05-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 成都新柯力化工科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及用于半导体材料外延生长的衬底，特别涉及一种生长氮化镓晶体的复合衬底及其制备方法。该复合衬底材料由掺杂蓝宝石基底和覆盖在掺杂蓝宝石基底上的导电层组成，其中掺杂蓝宝石基底由石墨烯和稀土金属掺杂蓝宝石组成，导电层是含有高熔点金属或合金的薄片，通过真空处理使导电层与掺杂蓝宝石基底键合在一起，冷却即得生长氮化镓晶体的复合衬底。本发明采用掺杂改性的蓝宝石作为基底，解决了普通蓝宝石衬底用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。 | ||
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