客服热线:18202992950

由低成本稀土原料制备的稀土闪烁晶体及其低成本生长工艺 发明申请

2023-08-24 1290 935K 0

专利信息

申请日期 2025-07-01 申请号 CN201610115940.4
公开(公告)号 CN105543963A 公开(公告)日 2016-05-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院长春应用化学研究所
简介 本发明提供了低成本稀土闪烁晶体,由RE2O3、二氧化硅、铈的氧化物和镥的氧化物经过晶体生长后得到;所述RE2O3、铈的氧化物和镥的氧化物的质量之和与所述二氧化硅的质量的比值为(0.75~1.25)∶1;所述铈的氧化物的质量与所述RE2O3和镥的氧化物的质量之和的比值为(0.005~0.04)∶1;所述RE2O3和镥的氧化物的质量比为(0.005~1)∶1。本发明按照晶体生长一致熔融区内组成-温度关系确定原料配比。本发明采用特定原料配比能够有效降低闪烁晶体生长过程中的液/固相变温度点,降低晶体生长能耗,贵金属损耗,快速生长工艺有利于缩短生长时间,晶体成品率高,具有明显的低成本优势。


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4