| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN201480051296.8 |
| 公开（公告）号 | CN105556625A | 公开（公告）日 | 2016-05-04 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | ||
| 简介 | 提供一种能够形成添加成分不存在的晶界相对于整个晶界的比例低的电介质层、且能够抑制绝缘电阻的劣化的进展的陶瓷生片、使用该陶瓷生片来制作的高可靠性的层叠陶瓷电容器及其制造方法。在陶瓷生片中，使含Si成分被覆了所述钛酸钡系陶瓷粒子的表面的比例(含Si成分被覆率)成为95％以上，使含稀土元素成分被覆了钛酸钡系陶瓷粒子的表面的比例(含稀土元素成分被覆率)成为85％以上。在制造层叠陶瓷电容器时，将所述陶瓷生片用于电介质层的形成。使稀土元素存在于构成层叠陶瓷电容器的电介质层的钛酸钡系陶瓷的全部晶界中的98％以上的晶界。 | ||
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