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HIGH-PURITY LANTHANUM, METHOD FOR PRODUCING SAME, SPUTTERING TARGET COMPRISING HIGH-PURITY LANTHAN 发明授权

2023-03-17 3610 1395K 0

专利信息

申请日期 2025-07-25 申请号 AU2012318023
公开(公告)号 AU2012318023B2 公开(公告)日 2016-04-28
公开国别 AU 申请人省市代码 全国
申请人 JX Nippon Mining Metals Corporation
简介 High-purity lanthanum characterized in that the purity, in terms of the purity of the lanthanum excluding any rare-earth elements and any gas components, is 5 N or higher and the number of α-ray counts is 0.001 cph/cm


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