| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | EP13177959 |
| 公开（公告）号 | EP2830096B1 | 公开（公告）日 | 2016-04-13 |
| 公开国别 | EP | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | IMEC VZW; Katholieke Universiteit Leuven | ||
| 简介 | A semiconductor structure comprising : a. A substrate comprising a III-V material, and b. A high-k interfacial layer overlaying said substrate, Wherein said interfacial layer comprises a rare earth aluminate; an n-type FET device comprising the same; and a method for manufacturing the same. | ||
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