| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201910053112.6 |
| 公开（公告）号 | CN109777420B | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 五邑大学 | ||
| 简介 | 本发明提供一种AlGaN芯片用铋掺杂锡镓酸镧黄色荧光粉的制备方法，一种AlGaN芯片用铋掺杂锡镓酸镧黄色荧光粉的制备方法，以含镧、锡、镓、铋的化合物作为原料，研磨混匀后空气氛围下预烧，取出研磨混匀后在空气气氛下灼烧，得到黄色荧光粉La3SnGa5O14：Bi3+，本发明不采用稀土作为发光中心，利用价格低廉的铋作为激活剂；本发明在紫外光激发下具有覆盖330nm～800nm区间的超宽带发射，半高宽为300nm；另外，本发明制备工艺简单，不采用苛刻的制备条件，如高温高压，常压下可制得，易于规模化生产；且激发波段位于紫外区域，避免了与激发光的重叠，并且不存在重吸收问题。 | ||
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