| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201510822213.7 |
| 公开（公告）号 | CN105420578A | 公开（公告）日 | 2016-03-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 王晓伟 | ||
| 简介 | 本发明属于钨材料技术领域，特别涉及一种钨基体合金及其制备方法。该钨基体合金的成份按质量百分比包括：4－6％的铈，0.11－0.14％的铼以及余量的钨。技术效果如下：通过添加铼、铈改善钨的脆性、高温性能和可塑性。钨基体合金用作电子发射用的电极时，工作温度大大降低，工作温度仅需800－1000℃。铈作为储量最大的稀土元素，有效提高了稀土资源的利用率。本发明生产的钨基体合金纯度高，杂质含量不超过70ppm。 | ||
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