单晶立方倍半氧化物的制备方法和用途发明申请

2023-11-28 2770 2220K 0

申请日期	2025-06-25	申请号	CN201480041373.1
公开（公告）号	CN105408530A	公开（公告）日	2016-03-16
公开国别	CN	申请人省市代码	全国
申请人	科学研究国家中心
简介	本发明涉及通过高温助熔剂生长技术制备任选掺杂有+III价镧系元素离子的钪、钇或稀土元素的立方倍半氧化物的块状或薄膜单晶(空间群No.206，Ia 3)的方法，以及根据该方法获得的没有掺杂的单晶的应用，特别是在光学领域中。

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