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铝铜Cu+复合基稀土厚膜电路智能电热芯片的制备工艺 发明授权

2023-08-21 2340 1212K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 CN201310737978.1
公开(公告)号 CN103716924B 公开(公告)日 2016-03-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 王克政
简介 本发明公开了一种铝铜Cu+复合基稀土厚膜电路智能电热芯片的制备工艺,其特征在于,它包括如下步骤:a、膜的制备:制备电子浆料,并在流延机上制备出生瓷带;b、生瓷带的制备:流延机流延浆料,制备出各种类型生磁片,并在80~150℃下在机干燥30~50分钟,激光切割、冲压加工成型;c、芯片的制备:将制备好的生磁带用玻璃胶或硅胶贴在铝铜Cu+复合基板上置于工装,安装在热等静压机内,在氮化气氛下按温度曲线进行烧结;d、按要求检验各项设计参数包括方阻、耐压、几何尺寸和介质层厚度。本发明“膜”的致密度高、均匀性好、性能优异,具有生产周期短、工序少、能耗低、材料损耗小等特点。


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