| 申请日期 | 2025-06-30 | 申请号 | CN202111321362.7 |
| 公开（公告）号 | CN113816338A | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 湖北和远气体股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种半导体用超高纯氯化氢气体的制备装置及其工艺，以工业产品气体为原料，采用高分子渗透膜、金属阳离子交换树脂、稀土金属化合物脱水与高压精馏的结合，可将组分中CO2杂质脱除至0.1ppm以下、金属离子含量脱除至10ppt以下；所述制备工艺摆脱了现有技术对原料的依赖，在生产超高纯氯化氢气体的同时产生多种品质的氯化氢气体，尾气减少的同时易于处理，适用于工业化推广。 | ||
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