| 申请日期 | 2025-07-15 | 申请号 | CN201310172563.4 |
| 公开（公告）号 | CN103243383B | 公开（公告）日 | 2016-02-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法，包括如下工序：a)制备LRE123相和LRE211相的粉末；b)制备前驱体；c)将籽晶放置在所述前驱体的上表面；d)将所述前驱体和籽晶置于生长炉中，升温至最高温度，并保温；e)快速将温度降低至包晶反应温度，然后以每小时0.5℃～1.0℃的速率降温20-40小时，最后淬火制得超导块体材料。本发明通过控制在超导体块材在生长过程中的降温速度，调整生长过程熔体中的组分，有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况，提高空气下制备的LREBCO超导体的超导性能。 | ||
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