| 申请日期 | 2025-07-17 | 申请号 | CN201110301649.3 |
| 公开（公告）号 | CN102403117B | 公开（公告）日 | 2016-02-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 河北工业大学 | ||
| 简介 | 本发明Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法，涉及含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体，所说的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的元素组成式为SmxCoyFezZruBvQw，式中限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足：x+y+z+u+v+w＝100，x＝9.0～14.0，y＝45.0～70.5，z＝2.8～18.4，u＝1.1～7.0，v＝3.8～19.0，w＝1.0～21.2，Q是由Nb、Al、Si、Cu和C中的1～4种元素组成，采用离心快淬甩带技术制备，由此制得的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体具有高的室温内禀矫顽力、高耐腐蚀性和高强度的优点。 | ||
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