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一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法 发明授权

2023-10-04 4280 403K 0

专利信息

申请日期 2025-07-15 申请号 CN201310234487.5
公开(公告)号 CN103594548B 公开(公告)日 2016-02-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 横店集团东磁股份有限公司
简介 本发明公开了一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法,包括以下步骤:(1)对硅片制绒,扩散制PN结,刻蚀清洗,PECVD镀减反射膜;(2)在减反射膜中进行稀土离子注入;(3)注入完成后,将硅片在氮气气氛的高温炉里退火,取出冷却至室温;(4)最后对硅片丝网印刷制电极,烧结形成具有光波转换特性的成品晶硅太阳能电池。本发明在减反射薄膜上利用离子注入技术对其掺杂稀土离子,使其具备光转换特性,提高了晶硅太阳能电池在高能量紫外区域光子利用率,从而提高了电池转换效率;工艺简单易行,能够与现有的电池片制造工序相衔接,不需要对现有设备进行改造,节约成本,离子注入技术容易实现量产,可行性好。


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