| 申请日期 | 2025-07-27 | 申请号 | CN202111098753.7 |
| 公开（公告）号 | CN113800902A | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法，BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，介质层包括以下重量份的原料：100份的BZCT主基体、8‑12份的改性PVB、0.8‑2.7份的正硅酸乙酯，改性PVB为掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、Y、Yb、Dy、Ho、Er中的一种或多种元素的PVB，以BZCT材料为主基体，通过合成掺杂改性PVB，在PVB中掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、稀土等元素，并添加适量的正硅酸乙酯，来获得良好的综合性能。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
