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稀土离子掺杂稀土氟氧化物的晶体硅太阳能电池结构 发明授权

2023-03-04 4640 324K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 CN201210045780.2
公开(公告)号 CN103296120B 公开(公告)日 2016-01-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 浙江启鑫新能源科技股份有限公司
简介 本发明公开了一种基于稀土离子掺杂稀土氟氧化物的晶体硅太阳能电池结构,包括:依次自下而上相互叠加的背电极(1)、银铝浆薄膜(2)、P型晶体硅层(3)、N型晶体硅层(4)、减反射膜(5)、稀土离子掺杂稀土氟氧化物膜(6)、正电极(7)。该结构的晶体硅太阳能电池可将太阳光中不能被硅晶体吸收的,波长大于1100nm的红外光转换为可被晶体硅吸收利用的可见光,从而增加对红外光的利用,提高硅太阳能电池的光电转换效率,同时减少红外光对电池的破坏,提高电池的性能。同时,该结构的晶体硅太阳能电池的机械强度和化学稳定性好,上转换效率高。


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