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一种致密细晶钕铁硼烧结磁体的制备方法 发明授权

2023-01-03 4180 385K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN201310477135.2
公开(公告)号 CN103489619B 公开(公告)日 2016-01-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京科技大学
简介 本发明属于稀土永磁材料领域,特别提供了一种致密细晶钕铁硼烧结磁体的制备方法。其特征是在高压氩气热等静压烧结之前进行真空预烧结,并且烧结温度保持在2 : 14 : 1相和富钕相的共晶温度+5℃—-50℃,等静压力烧结时的压力范围2-20MPa。具体工艺步骤是:钕铁硼合金先后经铸锭、制粉、取向压型后,放入烧结炉内,达到高真空后开始加热并继续抽真空,通过阶段性加热及加热速度的控制实现高真空环境,待达到需要的烧结温度及真空度时,先真空预烧一段时间,而后停止抽真空,逐步通入高纯氩气施加等静压力,继续保温一段时间,然后快速冷却得到产品。本发明的优点是:不仅能实现烧结致密与细晶组织,而且保证产品收缩均匀、性能一致。本发明操作简单,适合工业化生产。


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