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通过光助电沉积法在二氧化钛纳米管上制备稀土Eu掺杂CaF2薄膜的方法 发明授权

2023-07-28 3320 681K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 CN201410017632.9
公开(公告)号 CN103774198B 公开(公告)日 2016-01-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 浙江大学
简介 本发明公开了一种通过光助电沉积法在二氧化钛纳米管上制备稀土Eu掺杂CaF2薄膜的方法。本发明以一种光助电沉积的方法于乙二胺四乙酸钠和Ca2+、Eu3+分别络合的中性混合电解液中进行恒电位电沉积,于二氧化钛纳米管上得到具有球状形貌的稀土Eu掺杂CaF2薄膜电极,再把薄膜电极在空气氛围中煅烧,后又对不同阳极沉积电量下沉积得到的稀土Eu掺杂CaF2薄膜电极进行了模拟太阳光下的光电性能测试,考察了阳极沉积电量对稀土Eu掺杂CaF2薄膜电极光电性能的影响。本发明使用的原料成本低廉,设备简单,易于操作,同时具有环境友好等优点。


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