客服热线:18202992950

III-N material grown on REN epitaxial buffer on Si substrate 发明授权

2023-03-21 4500 541K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 US13939721
公开(公告)号 US9236249B2 公开(公告)日 2016-01-12
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Rytis Dargis; Robin Smith; Andrew Clark; Erdem Arkun; Michael Lebby
简介 A method of growing III-N material on a silicon substrate includes the steps of epitaxially growing a single crystal rare earth oxide on a silicon substrate, epitaxially growing a single crystal rare earth nitride on the single crystal rare earth oxide, and epitaxially growing a layer of single crystal III-N material on the single crystal rare earth nitride.


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4