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基于晶界重构的高矫顽力高稳定性钕铁硼磁体及制备方法 发明授权

2023-08-25 4410 579K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN201310035675.5
公开(公告)号 CN103106991B 公开(公告)日 2015-12-23
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 浙江大学
简介 本发明公开了一种基于晶界重构的高矫顽力高稳定性钕铁硼磁体及其制备方法。其主要步骤包括:主合金、晶界相合金粉末分开设计和制备、晶界相纳米改性、混粉、磁场压型、等静压、烧结和热处理。本发明基于晶界重构新技术,复合应用富重稀土新晶界相和纳米改性技术,即重新设计与合成富重稀土新晶界相,在磁体烧结和回火处理过程中通过重稀土元素向主相晶粒边界层的扩散实现磁硬化,在主相中不添加或少添加重稀土的条件下制备低成本高矫顽力磁体;同时通过纳米改性方法优化晶界相的分布和晶粒边界形态,钉扎畴壁抑制反磁场形核,抑制晶粒长大,从而实现钕铁硼磁体的高矫顽力高稳定性。本发明提供的制备方法工艺简单,成本较低,适合大规模批量生产。


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