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一种3D芯片堆叠的含Eu、纳米Au的互连材料 发明申请

2023-08-28 1080 523K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201510478333.X
公开(公告)号 CN105177387A 公开(公告)日 2015-12-23
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 江苏师范大学
简介 本发明公开了一种3D芯片堆叠的含Eu、纳米Au的互连材料,属于芯片互连材料领域。该互连材料的稀土Eu元素含量为0.01~0.5%,纳米Au颗粒为5~8%,其余为In。首先制备In-Eu中间合金粉末,其次混合In-Eu粉末、In粉末、松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌,最后添加纳米Au颗粒,充分搅拌制备膏状含Eu和纳米Au颗粒的互连材料,采用精密丝网印刷和回流焊工艺在芯片表面制备凸点,在一定压力(1MPa~10MPa)和温度(170℃~260℃)条件下实现三维空间的芯片垂直互连,形成高强度互连焊点。本互连材料具有高可靠性,可用于三维封装芯片堆叠。


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