| 申请日期 | 2026-04-23 | 申请号 | CN201310534506.6 |
| 公开（公告）号 | CN103541011B | 公开（公告）日 | 2015-12-09 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a)制备RE123相和RE211相的粉末；b)按RE123+(0.3～1.5)wt%CeO2的配比制备第一前驱体；c)按RE123+30mol%RE211+(0.3～1.5)wt%CeO2的配比制备第二前驱体；c)籽晶放置在第二前驱体的上表面，第二前驱体放置在第一前驱体的上表面；d)将工序c)所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过在第二先驱体内添加RE211相，有效抑制高温熔融状态下薄膜籽晶中稀土元素的溶解和扩散，提高薄膜籽晶的热稳定性，有利于诱导生长REBCO高温超导准单晶体。 | ||
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