| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201510408849.7 |
| 公开（公告）号 | CN105140385A | 公开（公告）日 | 2015-12-09 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西安理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种具有高磁通钉扎性能YBCO薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：在铝酸镧单晶衬底上制备金属氧化物的凝胶膜，将凝胶膜进行干燥处理；将得到的凝胶膜通过特定图形的掩模进行紫外线曝光，再经溶剂洗涤和热处理，制得结晶化的金属氧化物微细图形；制备YBCO凝胶膜，再经热处理和退火处理，制得具有高磁通钉扎性能的YBCO薄膜。本发明利用晶格失配在YBCO基体中诱导形成高密度的纳米级尺寸的晶体缺陷，作为人工钉扎中心，显著增强YBCO薄膜的磁通钉扎性能，提高磁场下YBCO薄膜的临界电流密度，适合大规模工业化生产，为制备高性能钇系或稀土系钡铜氧涂层导体提供一种新方法。 | ||
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