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内层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备 实用新型

2023-05-24 2810 598K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN202121031574.7
公开(公告)号 CN215180991U 公开(公告)日 2021-12-14
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 宁波大学
简介 本实用新型涉及一种内层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备,该平面波导放大器包括光学基片,光学基片上沉积有掺杂稀土的第一薄膜层,第一薄膜层上沉积有不掺杂稀土的第二薄膜层,第二薄膜层刻蚀有波导结构。刻蚀波导结构的刻蚀气体产生的等离子体是直接在不掺杂稀土的第二薄膜层上刻蚀波导结构,避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀,从而避免了因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成该平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度,这样可以确保该平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度,降低了光学传输损耗,进而提高平面波导放大器的放大增益性能。


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