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一种基于负超磁致伸缩薄膜的光纤磁场传感器 实用新型

2023-04-06 3490 254K 0

专利信息

申请日期 2025-08-07 申请号 CN201520479856.1
公开(公告)号 CN204832475U 公开(公告)日 2015-12-02
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国计量学院
简介 本实用新型公开了一种基于负超磁致伸缩薄膜的光纤磁场传感器,包括:光纤,光纤圆膜,法布里-珀罗(Fabry-Perot)光学谐振腔和磁致伸缩薄膜。厚度为5um的光纤圆膜与光纤的端面紧密接合,法布里-珀罗(Fabry-Perot)光学谐振腔位于光纤的端面,与光纤圆膜紧密接合,有效提高了传感器的精度和灵敏度,具有巨大的负磁致伸缩系数,不含重稀土元素的负超磁致伸缩薄膜位于光纤圆膜外侧,有效的缩减了传感器的体积,适用于狭窄间隙的磁场测量。


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