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荧光体及其制造方法 发明授权

2023-05-29 1990 942K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN201280018413.1
公开(公告)号 CN103476902B 公开(公告)日 2015-11-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 三星电子株式会社
简介 根据本发明一个实施例的荧光体具有如下组成式1:[组成式1]SrySi(6-z)AlzOzN(8-z) : Rex,其中,x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50,Re为稀土元素。因此在根据本发明一个实施例的荧光体中,当锶的浓度为0.05mol~0.5mol时,可表现出525nm~537nm的短波长。并且,当铝的浓度较高时,可通过添加0.003mol~0.125mol范围的钡而表现出525nm~537nm的短波长。而且,当铝的浓度较高时,可通过将AlN和Al2O3一并作为铝前驱体添加而调节氧浓度,从而表现出525nm~537nm的短波长。结果,由于根据本发明一个实施例的荧光体可表现出525nm~537nm的短波长,因此可防止色彩再现性减弱及显色指数降低。


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