| 申请日期 | 2026-03-06 | 申请号 | CN201310628510.9 |
| 公开（公告）号 | CN103614775B | 公开（公告）日 | 2015-11-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a)制备RE123相的粉末；b)制备嵌入式籽晶的前驱体；c)将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO准单晶体；其中，工序b)中的前驱体为工序a)获得的RE123相的粉末按RE123+(0.3～1.5)wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到REBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于REBCO准单晶体的制备。 | ||
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