| 申请日期 | 2026-04-22 | 申请号 | CN201911392358.2 |
| 公开（公告）号 | CN111128944B | 公开（公告）日 | 2021-12-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南通南平电子科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种高性能电容引线框架，由以下原料按质量百分比计制得：银0.15～0.25%、铝0.20～0.30%、锰0.05～0.08%、锡0.15～0.25%、硅0.45～0.62%、铅0.90～1.50%、锑0.03～0.04%、稀土元素0.01～0.02%、余量为铜及不可避免的微量杂质，本发明制得的电容引线框架的导电性较传统的电容引线框架的导电性大大提升。 | ||
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