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Method for preparing single-crystal cubic sesquioxides and uses thereof 发明授权

2023-11-02 4110 2193K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 US13505632
公开(公告)号 US9187845B2 公开(公告)日 2015-11-17
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Philippe Veber; Matias Velazquez; Jean Pierre Chaminade; Oudomsack Viraphong
简介 A method is provided for preparing solid or thin-film single-crystals of cubic sesquioxides (space group no. 206, Ia-3) of scandium, yttrium or rare earth elements doped with lanthanide ions with valence +III, using a high-temperature flux growth technique, and to the various uses of the single-crystals obtained according to said method, in particular in the field of optics.


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