| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN201510527357.X |
| 公开（公告）号 | CN105036745A | 公开（公告）日 | 2015-11-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 成都顺康三森电子有限责任公司 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种低介电损耗、低温度系数的微波电子陶瓷原料，包括如下成分：BaCO3、V2O5、乙炔黑、TiO2、Nd2O3、Ho2O3、NaOH和KOH。本发明中的稀土氧化物Nd2O3、Ho2O3，在进一步促使瓷体细晶化、提高耐压、降低介电损耗方面有明显的效果；乙炔黑能够阻碍钛酸钡晶粒的成长，且碳原子能够扩散进入钛酸钡晶格，从而在材料中形成成分弥散，形成的小尺寸钛酸钡晶粒以及组成弥散导致材料具有优良的温度稳定性；配置的助剂混合物可以降低熔点，促进低温度系数的钛酸盐晶体的生长；由于本申请没有使用镍、铅等微波电子陶瓷常用的原料，因此不会造成人体健康的损害，也不会影响环境。 | ||
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