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一种高Ce含量双主相高磁能积磁体及其制备方法 发明申请

2023-09-05 2860 1496K 0

专利信息

申请日期 2025-07-19 申请号 CN202111041307.2
公开(公告)号 CN113782290A 公开(公告)日 2021-12-10
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 钢铁研究总院
简介 本发明涉及一种高Ce含量双主相高磁能积磁体及其制备方法,该磁体采用双主相合金法制备,使用的第一原料为RE‑Fe‑TM‑B合金E,第二原料为两种各向异性场不同的主相基元合金A和合金B,各合金之间的各向异性场比值Ha(E)/Ha(A)或Ha(E)/Ha(B)范围为1.14~2.70,最终磁体以(RE, Ce)‑Fe‑B主相为占比最大的永磁基元,还包括贫Ce或多Fe或多Co永磁相基元,且存在两类氧含量不同的晶间相;通过稀土价态调控技术,即使两个主相合金的比例进而使其磁晶各向异性常数Ha(E)/K1(多铁永磁相)和Ha(E)/K1(多钴永磁相)的比值范围为K1(A)/K1(B)为1.15~2.29,使磁性能得到提高,调控该磁体中Ce的光谱价态大于+3.00、小于+3.12。


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