| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN201310753768.1 |
| 公开（公告）号 | CN103698365B | 公开（公告）日 | 2015-10-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国工程物理研究院化工材料研究所; 四川省新材料研究中心 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种气敏传感器，包括由下至上安装的基板、底电极、绝缘层、上电极引线层、敏感薄膜层和上电极组成，所述的敏感薄膜层为稀土金属酞菁LB膜敏化大带宽金属氧化物纳米孔道阵列结构，如TiO2纳米管阵列。本发明还提供了所述气敏传感器的制备方法。本发明提供的气敏传感器结构新颖、易于集成。本身体积可控，为传感器的小型化、轻型化、集成化提供了便利。因其在室温下工作，在化工、医药、食品工业等都具有非常广阔的应用前景。 | ||
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