客服热线:18202992950

晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法 发明授权

2023-03-27 4070 1172K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN201910023352.1
公开(公告)号 CN111430142B 公开(公告)日 2021-12-07
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 包头希迪瑞科技有限公司
简介 本发明涉及一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法,所述方法包括:提供钕铁硼预制磁体;在钕铁硼预制磁体表面形成重稀土薄膜;将形成有重稀土薄膜的钕铁硼预制磁体进行热处理和回火处理,获得预制体,其中,预制体中包括正常壳层以及依次包覆于正常壳层的过渡层和反常壳层,正常壳层中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的边缘处至主相晶粒的中心部位逐渐降低,反常壳层中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的边缘处至主相晶粒的中心部位逐渐升高;去除反常壳层,得到钕铁硼磁体。本发明的方法能够使较厚的钕铁硼磁体也可以采用晶界扩散的方法来提高矫顽力,提高了晶界扩散对钕铁硼磁体厚度的适应性,解决了晶界扩散受磁体厚度的限制问题。


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4