稀土元素Tm掺杂的铌酸银反铁电陶瓷材料及其制备方法发明授权

2023-01-18 2690 878K 0

申请日期	2025-07-22	申请号	CN201910305422.2
公开（公告）号	CN111825451B	公开（公告）日	2021-12-07
公开国别	CN	申请人省市代码	全国
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所
简介	本发明涉及稀土元素Tm掺杂的铌酸银反铁电陶瓷材料及其制备方法，所述稀土元素Tm掺杂的铌酸银反铁电陶瓷材料为单一钙钛矿结构，其组成通式为Ag1‑3xTmxNbO3，其中，0.01≤x≤0.08。

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