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一种低熔点混合扩散提升钕铁硼磁体矫顽力的方法 发明申请

2023-10-18 1970 257K 0

专利信息

申请日期 2025-07-18 申请号 CN202111097074.8
公开(公告)号 CN113764147A 公开(公告)日 2021-12-07
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 泮敏翔
简介 本发明公开了一种低熔点混合扩散提升钕铁硼磁体矫顽力的方法,属于磁性材料技术领域。该制备方法包括:按照含重稀土低熔点(Dy, Tb)‑Al‑Cu合金和含高丰度稀土低熔点(Pr, Ce)‑Ga‑Cu合金成分分别称量各原料并进行电弧熔炼,随后分别通过高能球磨破碎和熔体快淬法及行星式低能球磨制粉,按比例混合制成糊状溶液;将糊状溶液均匀涂敷在钕铁硼磁体表面,随后进行N2气保护和低磁场辅助下的一级和二级回火热处理,获得高矫顽力钕铁硼磁体。本发明工艺过程简单,易操作,有利于高性能钕铁硼磁体在更多永磁器件中的应用,以满足市场需求。


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