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一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法 发明申请

2023-12-01 1790 2954K 0

专利信息

申请日期 2025-07-10 申请号 CN201510323350.6
公开(公告)号 CN104926309A 公开(公告)日 2015-09-23
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所
简介 本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法,包括:1)将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体,并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯;2)将陶瓷素坯在真空、650℃~1050℃下加热裂解;3)将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃~1750℃下进行碳热还原反应;4)将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃~2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷。采用本发明方法制备的碳化硅陶瓷中含有Si、Al、C、O和N元素,均为中子吸收截面小的元素,不含中子吸收截面大的B或稀土元素。


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