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外层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备 实用新型

2023-04-26 3320 721K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN202121031768.7
公开(公告)号 CN215067406U 公开(公告)日 2021-12-07
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 宁波大学
简介 本实用新型涉及一种外层掺杂的平面波导放大器、平面波导、光学器件及设备,该平面波导放大器,包括光学基片,光学基片上沉积有不掺杂稀土的第一薄膜层,第一薄膜层上刻蚀有波导结构,波导结构的上方覆盖有掺杂稀土的第二薄膜层,避免等离子体直接对第二薄膜层上的稀土离子做刻蚀,从而避免因掺杂的稀土离子无法被等离子刻蚀而造成平面波导放大器结构表面及边墙出现较大的粗糙度,这样可以确保该平面波导放大器结构表面和边墙的平滑度,降低光学传输损耗,进而提高平面波导放大器的放大增益性能。


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