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沟道型平面波导放大器、光学器件及光学设备 实用新型

2023-04-15 5410 1120K 0

专利信息

申请日期 2025-09-18 申请号 CN202120136827.0
公开(公告)号 CN215067652U 公开(公告)日 2021-12-07
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 宁波大学
简介 本实用新型涉及一种沟道型平面波导放大器、光学器件及光学设备,沟道型平面波导放大器,包括光学基片,其特征在于,所述光学基片上刻蚀有若干沟道,光学基片的表面具有利用熔融‑淬火凝聚的稀土掺杂的硫系材料所形成的硫系薄膜,各沟道内完全填充有利用熔融‑淬火凝聚的稀土掺杂的硫系材料,这样不仅可以避免等离子体直接对稀土离子做刻蚀,确保沟道型平面波导放大器结构表面和边墙的平整性,而且还可避免掺杂的稀土材料因经历分解成原子或者离子状态的过程而丧失活性和稀土荧光性能,提高掺杂在硫系材料中的稀土离子的光学稳定性,使得所形成的稀土掺杂的硫系薄膜也表现出较好的光学稳定性,进一步提高沟道型平面波导放大器的放大性能。


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