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复合靶气相沉淀制备晶界扩散稀土永磁材料的方法 发明申请

2023-03-28 2660 1682K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 CN201510230782.2
公开(公告)号 CN104900359A 公开(公告)日 2015-09-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 安泰科技股份有限公司
简介 本发明提供了一种复合靶气相沉淀制备晶界扩散稀土永磁材料的方法,该方法是采用复合靶材蒸发附着于NdFeB磁体表面,通过中高温处理以及低温时效处理,磁体矫顽力明显提高,剩磁和磁能积基本不降低。本发明的有益效果是提高了磁体的矫顽力,同时消除了长时间高温处理导致的融坑和晶粒长大等缺陷,使得重稀土的使用量大幅降低,降低了产品的成本。


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