| 申请日期 | 2026-03-27 | 申请号 | CN201310531348.9 |
| 公开(公告)号 | CN103553691B | 公开(公告)日 | 2015-08-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 广东工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种主要用于高功率LED照明封装的颗粒弥散增韧氮化铝陶瓷基板及其制备方法,其中陶瓷基板含有如下重量百分数的各组分:80%-95%的AlN粉体;2%-8%的烧结助剂;3%-12%的增韧相;其中烧结助剂为稀土金属氧化物、弱碱氧化物、稀土氟化物或弱碱氟化物中的任意一种或任意几种的复合,增韧相为钼、钨、铌、碳化钼、碳化钨、碳化铌中的一种或任意几种的复合。通过裂纹偏转弯曲、裂纹桥接以及残余应力的增韧机制,有效提高AlN基板的断裂韧性。而添加的增韧相和氮化铝基体的化学相容性好,能同时满足高热导率及优良的电学性能,使得氮化铝的综合性能得以提高,具有优异的机械性能、导热性能和电性能。 | ||
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