| 申请日期 | 2026-03-09 | 申请号 | CN201080034689.X |
| 公开（公告）号 | CN102484922B | 公开（公告）日 | 2015-08-19 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | ||
| 简介 | 提供一种发光元件，所述发光元件的阳极和阴极之间设置有n层(n是大于或等于2的自然数)EL层。在第m层(m是自然数，1≤m≤n-1)EL层和第(m+1)层EL层之间，在所述阳极上依次设置有包含碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的任一种的第一层，包含具有高电子传输性质的物质并且与所述第一层相接触的第二层，和包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质并且与所述第二层相接触的电荷产生层。所述电荷产生层在可见光区域不具有吸收光谱峰。 | ||
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