| 申请日期 | 2026-03-06 | 申请号 | CN202110843154.7 |
| 公开（公告）号 | CN113740331A | 公开（公告）日 | 2021-12-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) | ||
| 简介 | 本发明公开了一种稀土金属氧化物晶体的位错检测方法，包括以下步骤：利用质量分数为75％～95％的磷酸溶液在80℃～200℃下对所述稀土金属氧化物晶体刻蚀处理10分钟～60分钟，制备预处理样品；对所述预处理样品进行观察，获取所述稀土金属氧化物晶体的位错特征。通过对稀土金属氧化物晶体选择适当的刻蚀温度以及刻蚀液，使晶体结构中的位错易于在光学显微镜下以及扫描电子显微镜下进行观察，不仅可以判断稀土金属氧化物的晶体结构中位错的类型，还能进一步计算出晶体位错密度。上述测试方法成本低且周期短，避免传统透射电子显微镜对样品进行繁琐处理以及X射线衍射不能对晶体位错类型进行判断的缺陷。 | ||
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