| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | CN201510165006.9 |
| 公开（公告）号 | CN104828791A | 公开（公告）日 | 2015-08-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 新疆大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了Ce掺杂GaN纳米线的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域，通过两步(化学气相沉积法和固态烧结扩散法)制备Ce掺杂GaN纳米线：高纯Ga2O3粉、高纯Ce(NO3)3·6H2O粉和NH3气分别作为Ga源、Ce源和N源；将研磨后的Ga2O3粉末置于水平管式炉中央位置，并在管式炉下游放置Si衬底，对系统抽真空至5×10-3Pa；在Ar气保护下对管式炉进行加热，1000℃时通入100sccm的NH3，同时Ar气增大到100sccm，在1100℃恒温2h，降温到1000℃时关闭NH3，Ar气调至30sccm，自然冷却后收集样品；将上述纳米线在0.2mol/L的Ce(NO3)3溶液中浸泡1min后退火，退火后的样品密封在充有0.05MPa Ar气的石英管中，在500℃下进行烧结，反应结束后迅速冷却，收集样品。本发明的特点是：制备工艺简单，成本低，对环境危害小，易于推广。 | ||
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