| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | CN201310495906.0 |
| 公开（公告）号 | CN103556045B | 公开（公告）日 | 2015-08-05 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种基于FeGa-RFe2磁晶各向异性补偿原理设计的新型磁致伸缩材料及其制备方法，该磁致伸缩材料成分为(Fe100－XGaX)Y(RFe2)Z，其中10≤X≤40，Y与Z调节赝二元系中补偿成分的比例Y : Z=1～20，RFe2为TbFe2、SmFe2、DyFe2、HoFe2、ErFe2、TmFe2中的一种或者几种，X、Y、Z为摩尔百分比含量。本发明基于FeGa-RFe2磁晶各向异性补偿原理设计的新型磁致伸缩材料通过在非稀土FeGa基磁致伸缩合金成分中，微量添加具有大磁致应变性能的稀土RFe2成分，同时对FeGa成分进行磁晶各向异性补偿，从而获得具有大磁致应变、低驱动场、高力学性能、低成本等优势性能的新型磁致伸缩材料。 | ||
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