| 申请日期 | 2026-04-20 | 申请号 | TW109142940 |
| 公开（公告）号 | TW202145451A | 公开（公告）日 | 2021-12-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种记忆胞包括位于半导体基底之上的薄膜电晶体。所述薄膜电晶体包括：接触字元线的铁电()材料所述铁电材料是含铪化合物且所述含铪化合物包括稀土金属；及接触源极线及位元线的氧化物半导体()层其中所述铁电材料设置在所述氧化物半导体层与所述字元线之间。 | ||
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